高度均勻光源規格
| 均勻照明面積 |
42mm x 25mm，工作距離 >200mm |
| 照度均勻度 |
優於98% |
| 短期光不穩定性 |
≤ 1% 超過 1 小時 |
| 長期光不穩定性 |
≤ 1% 超過 10 小時 |
| DUT與最後一個光學元件之間的工作距離 |
≥200mm 工作距離 |
| 可變衰減器 |
PC 控制的 3-decade 分辨率，至少 1000步 |
| 單色光生成規格 |
| 10nm FWHM 中心波長 |
| 420 nm |
450 nm |
490 nm |
510 nm |
550 nm |
570 nm |
| 620 nm |
670 nm |
680 nm |
710 nm |
780 nm |
870 nm |
|
| 25nm FWHM 中心波長 |
|
| 45±5nm FWHM 中心波長 |
815 nm |
| 50nm FWHM 的中心波長 |
1600 nm |
| 60±5nm FWHM 中心波長 |
650 nm |
| 70±5nm FWHM 的中心波長 |
|
| 100±5nm FWHM 的中心波長 |
1600 nm
帶外透光率 ≤ 0.01%
帶通區峰值傳輸 ≥ 80%
中心波長容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm
FWHM 容差：(a) ≤ ±2nm；(b)~(g) ≤ ±5nm |
SG-O CIS 晶圓級測試儀的光均化器
SG-O CIS 晶圓級測試儀光均化器的光學模擬和性能
光束均勻度, 在 420nm 下用 42mm x 25mm 測試光束點均勻性, 不均勻度為 1% 圖示
光束均勻度, 束斑尺寸為 50mm x 50mm, 不均勻性為 1.43% 圖示
不同波長的單色光強度, 從紫外到近紅外；光強度由 Si 輻照度計測量, 光強度範圍能夠用於各種 CIS / ALS / 光傳感器測試圖示
從 NIR 到 SWIR 不同波長的單色光強度, 光強度由 InGaAs 輻照度計測量圖示
圖示在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩定性, 光不穩定性由 Si 輻照度計監測 60 分鐘, 1小時的不穩定性為 0.12%
圖示在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩定性, 光不穩定性由 SInGaAs 輻照度計監測 60 分鐘, 1 小時的不穩定性為 0.09%
在 420nm 單色光輸出下測試光強度短期不穩定性, 光不穩定性由 Si 輻照度計監測 10 小時, 10 小時的不穩定性為 0.1% 圖示
在 1250nm 單色光輸出下測試光強短期不穩定性, 光不穩定性由 SInGaAs 輻照度計監測 10小時, 10小時不穩定性為 0.06% 圖示
圖示為 SG-O 系統的光強衰減器, 光輸出強度可以通過 PC 至少 1000 步分辨率來控制
探針規格
| 半自動晶圓探針 |
- 晶圓尺寸能力：200mm、150mm、100mm 晶圓和尺寸大於 1cm x 1cm 的單芯片
- 晶圓處理：單晶圓，手動進料型
- 半自動化：一步手動對準教和自動模步進
|
| XYZ 三軸平台 |
- 卡盤 XY 載物台行程：210mm x 300mm
- 卡盤 XY平台分辨率：優於 0.5um
- 夾頭 XY 平台精度：優於 2.0um
- 卡盤 XY 平台速度：最慢：10 微米/秒，最快：50 毫米/秒
- Chuck Z 載物台行程：50mm
- Chuck Z 載物台行程：50mm
- Chuck Z 平台分辨率：0.2um
|
| Theta 平台 |
- Theta 載物台行程：± 5 度運動範圍
- Theta 分辨率：優於 0.01 度
- Theta 精度：0.1 度
|
| 卡盤 |
- 卡盤平整度 ≤ 10um
- 卡盤熱操作：-60°C 至 200°C
- 25°C 時的卡盤洩漏： 25°C 時在 10V 偏壓下每個電壓 ≤ 20fA
- 卡盤剩餘電容 ≤ 95fF
|
| 探針卡 |
- 探針卡尺寸：4.5 英寸至 8 英寸長
- 探針卡座與壓板之間的間隙：≥ 7.5mm
|
| 微型腔室 |
- EMI 屏蔽：在 1kHz 至 1 MHz 範圍內 ≥ 30dB
- 系統交流噪聲：≤ 5 mVp -p
|
| 微型定位器 |
|
| 顯微鏡 |
|
| 隔振台 |
|
CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓的探針卡安裝圖
用於 CIS / ALS / 光傳感器晶圓檢測的探針頭圖像
自動探測器的情況說明書, SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀集成了 MPI 探針。
更多細節可以在 MPI 的網站上找到。 資料來源：MPI
SG-O 探針系統中內置了自動單晶片裝載機。便於CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓裝載。
裝載和卸載晶圓對用戶來說是直接和直觀的。上料室前部還集成了溫度控制面板，方便操作。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀還具有手動加載功能，可以從前門手動加載晶圓。
該前門具有安全管理功能，可自動監測卡盤溫度並防止在測試過程中打開門，以保護 CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓和用戶的安全。
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 晶圓測試儀的熱卡盤由 ERS 最小化的 CDA 系統控制溫度，比以前效率更高。
溫度範圍可覆蓋 -80°C 至 180°C（取決於 ERA’a型號）。通過使用單獨的閥門可以進行氮氣吹掃。
對於 CIS / ALS / 光傳感器晶圓測試，目標溫度上升速率和穩定性非常出色，可在任何極端條件下（例如空間）進行。
探針卡尺寸能力可以從 4.5 英寸到 8 英寸長, 如圖所示 DUT 與 SG-O 高均勻光源最後一個光學元件的工作距離超過 200mm
光譜輻照度計
光譜範圍：400nm 至 1600nm
波長分辨率：400nm 到 1000nm 增加步長 < 1nm；1000nm 到 1600nm 增加步長 < 3.5nm
校準：NIST 可追溯校准證書
軟體功能
SG-O 系統的操作軟件。對於高度均勻光源控制軟件，SG-O 提供光源系統控制和光強測量。
提供了各個光學組件的 Labview 功能調色板、驅動程序 / DLL 文件。該軟件控制所述平移台以促進照射大是在零件的設備。
集成鏈接的整合包括發送 / 接收命令，例如芯片步進、芯片對齊 / 探測等。
來自 SG-O 顯微鏡系統的 CIS / ALS / 光傳感器晶片圖像
尺寸圖及架構
SG-O CIS / ALS / Light-Sensor 測試儀（晶圓級）系統圖。
高度均勻的光源由 PC-1 控制。光輸出由光纖引導到光學均化器以產生均勻的光束。
顯微鏡和均質器由 PC-1 的自動平移台控制，以切換位置和功能。
Prober 系統為 MPI TS2000，由 PC-2 控制。
卡盤台的位置也由 PC-2 控制。熱卡盤溫度可控制在 -55 ℃ 至180 ℃ ，涵蓋了大部分 IC 測試溫度範圍。
光強度由一個 Si 光電探測器和一個 InGaAs 光電探測器通過皮安電流表檢測和校準。
