單光子雪崩二極體(SPAD)與雪崩光電二極體(APD)皆為可將光信號轉換為電信號的光偵測元件，但二者仍存在些微差異：
總結來說，SPAD與APD主要差異在於靈敏度及所偵測光信號类型。SPAD靈敏度高，偵測個別光子；APD靈敏度較低，偵測廣範圍光強度。
解析雪崩光電二極體偏壓需求，雪崩光電二極體(APD)需具較高偏壓電壓始能正常運作。高偏壓為必要，因可在APD內部產生足夠強大電場，驅動APD內載流子(電子及電洞)发生雪崩倍增。
當APD吸收入射光子時，會生成一對電子空穴。強大電場使電子與電洞朝相反方向移動,並與其他載流子碰撞。碰撞會啟動鏈式反應,即雪崩倍增,生產更多載流子。載流子數目倍增將增加APD电流,使其可檢測及測量不同光強度。
決定APD所需偏壓電壓強度的因素有數項，包括材料組成、摻雜度、大小及幾何形狀。通常APD越大、摻雜越高，所需偏壓越高，以產生進行雪崩倍增所須電場。
總括而言，高偏壓電壓為APD正常運作關鍵，其可產生驅動載流子雪崩倍增的電場，使APD能檢測及測量範圍廣泛的光強度。
解析雪崩光電二極體雪崩效應，雪崩光電二極體(APD)中的雪崩效應發生於入射光子被APD吸收時,會生成一對電子空穴。雪崩效應是APD正常運作的關鍵，使其可檢測及測量不同光強度。雪崩效應的產生有賴於APD內足夠強大電場的形成，驅動載流子發生雪崩倍增。
在APD內強大電場會使電子與電洞互相碰撞。碰撞將觸發更多載流子生成的鏈式反應，即雪崩倍增。載流子數目倍增將提高APD電流,使其可檢測及測量不同光強度。
雪崩效應的大小與APD內部電場強度及材料的摻雜度成正比。電場越強、摻雜越高會導致載流子倍增越多，使APD增益越高。
整體而言，雪崩效應是APD運作重要機制，有賴電場驅動載流子雪崩倍增產生，使APD具有檢測廣射範圍光強度的能力。